Indium Antimonide Wafers 

Formula                               InSb

Crystal Structure                Polygonal

Density                                 5.8 gm/cc

Melting Point                       523^oC

Lattice, Constant                6.48 A^o

Energy Gap                         0.17 eV

Refractive Index                 3.96

Dielectric Constant            15.9 

Physical Properties: 

Orientations:                               (100) or (111)

Dopant / Carrier Concentration:     N-Type, Tellurium      1 - 3 x 10¹⁵ cm^-3

                                                   N-Type, Undoped      < 5 x 10¹⁴ cm^-3

                                                   P-Type, Germanium  > 1 x 10¹⁷ cm^-3

EPD:                                            < 5 x 10³ cm^-2

Mobility:                                       > 2 x 10⁵ cm²/V.sec 

Specifications: 

Diameter:                           2 inch (50.8 mm)

Thickness:                         450 microns (+/- 25 microns)

                               Surface Finish:           1 or 2 Faces Polished, Epi Ready