Gallium Antimonide Wafers

Formula                               GaSb

Density                                5.61 gm/cc

Melting Point                      712^oC

Lattice, Constant                6.09593 A^o

Energy Gap                         0.726 eV

Refractive Index                 3.8

Dielectric Constant            15.7 (static)

Electron Affinity                 4.06 eV

Physical Properties:

 Orientations:                                      (100) or (111)

Dopant / Carrier Concentration:     N-Type, Tellurium      1 - 3 x 10¹⁷ cm^-3

                                                   P-Type, Germanium  1 - 3 x 10¹⁷ cm^-3

                                                   P-Type, Undoped      < 2 x 10¹⁶ cm^-3

EPD                                                       < 5 x 10³ cm^-2

Mobility                                                 > 2 x 10² cm²/V.sec 

Specifications: 

Diameter:                             2 inch (50.8 mm)

Thickness:                           450 microns (+/- 25 microns)

                       Surface Finish:                     1 or 2 Faces Polished, Epi Ready