Silicon-On-Sapphire Wafers

Strain Gage Applications

Substrate Diameter, mm:                                  50.8 (+/-0.1), 76 (+/-0.5), 100 (+/-0.5)

Substrate Orientation:                                        (1012) R (+/-0.5º)

Substrate Thickness, µ:                                      330-430, 450, 460 (+/-25)

Silicon Layer Orientation:                                   (100)

Silicon Layer Thickness, µ:                                 0.5-5.0 (+/-8%)

Silicon Conductivity Type (dopant):                  p (Boron)

Silicon Resistivity, Ohm/cm:                              10-30 (+/-8%)

Back Side Finish:                                                  Ground

CMOS, MEMS Applications

Substrate Diameter, mm:                                  50.8 (+/-0.1), 76 (+/-0.5), 100 (+/-0.5)

Substrate Orientation:                                       (1012) R (+/-0.5º)

Substrate Thickness, µ:                                     330-430, 450, 460 (+/-25)

Silicon Layer Orientation:                                  (100)

Silicon Layer Thickness, µ:                               0.1-1.0 (+/-8%)

Silicon Conductivity Type (dopant):                 n (Phosphorous)
                                                                               p (Boron)
                                                                               (undoped)

Silicon Resistivity, Ohm/cm:                             0.003-100

Back Side Finish:                                                 Ground

Other thickness and laser marking available on request