Indium Arsenide Wafers

Formula                               InAs

Density                                 5.66 gm/cc

Melting Point                       943^oC

Lattice Constant                 6.06 A^o

Absorption Edge                3.7 microns

Energy Gap                         0.42 eV

Refractive Index                 3.42

Dielectric Constant            14.0

Physical Properties:

Orientation:                                 (100)

Dopant / Carrier Concentration:        N-Type, Sulfur        1 x 10^17-18 cm^-3

                                                      N-Type, Undoped   5 x 10^16-18 cm^-3

                                                      P-Type, Zinc           > 1 x 10¹⁷ cm^-3

EPD:                                              < 5 x 10⁴ cm^-2

Mobility:                                       > 1 x 10² cm²/V.sec

Specifications:

  Diameter:                          2 inch (50.8 mm)

Thickness:                           450 microns (+/- 25 microns)

                                Surface Finish:           1 or 2 Faces Polished, Epi Ready